国产PMOS 60P03 TO-252 贴片场效应管 低压MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-13 15:07:34点击：6次

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  国产PMOS 60P03 TO-252 贴片场效应管 低压MOSFET

  
  

  
  

  贴片场效应管 60P03的符号图：

  

  
  

  
  

  贴片场效应管 60P03的特点：
  

  • V_DS=-30V

  • I_D=-60A

  • R_DS(ON)＜13mΩ@V_GS=10V

  • 封装：TO-252
    

  
  

  
  

  贴片场效应管 60P03的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  贴片场效应管 60P03的极限值：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	-30	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 (TC=25℃)	-60	A
  	漏极电流-连续 (TC=100℃)	-30
  IDM	漏极电流-脉冲	-150
  EAS	单脉冲雪崩能量	125	mJ
  IAS	雪崩电流	-50	A
  PD	总耗散功率 (TC=25℃)	45	W
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	62	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	2.8

  
  

  
  

  贴片场效应管 60P03的电特性：
  

  (如无特殊说明，T_J=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	-30	-32		V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-30A		9	13	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-15A		13	18
  VGS(th)	栅极开启电压	-1.2	-1.6	-2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=25℃			-1	μA
  	零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃			-5
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导		30		S
  Qg	栅极总电荷		22		nC
  Qgs	栅源电荷密度		8.7
  Qgd	栅漏电荷密度		7.2
  Ciss	输入电容		2215		pF
  Coss	输出电容		310
  Crss	反向传输电容		237
  td(on)	开启延迟时间		8		ns
  tr	开启上升时间		73.7
  td(off)	关断延迟时间		61.8
  tf	开启下降时间		24.4

  
  

  
  

  贴片场效应管 60P03的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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