场效应管5N06 SOT-23 N沟道MOS管 5N06 MOS管封装引脚图

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-11 11:14:27点击：6次

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  场效应管5N06 SOT-23 N沟道MOS管 5N06 MOS管封装引脚图

  
  

  
  

  N沟道MOS管 5N06的特点：

  • V_DS=60V

  • I_D=5A

  • R_DS(ON)＜38mΩ@V_GS=10V

  • 封装：SOT-23
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 5N06的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 汽车照明

  
  

  
  

  N沟道MOS管 5N06的封装引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 5N06的极限值：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)
  

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	60	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 TA=25℃	5.8	A
  	漏极电流-连续 TA=70℃	3.5
  IDM	漏极电流-脉冲	18
  PD	总耗散功率 TA=25℃	1.5	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	22	mJ
  IAS	雪崩电流	21	A
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	85	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	25

  
  

  
  

  N沟道MOS管 5N06的电特性：

  (如无特殊说明，T_J=25℃)
  

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	60			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4A		29	38	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=2A		35	50
  VGS(th)	栅极开启电压	1	1.76	2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=48V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零栅压漏极电流 VDS=48V,VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导		28.3		S
  Qg	栅极总电荷		19		nC
  Qgs	栅源电荷密度		2.6
  Qgd	栅漏电荷密度		4.1
  Ciss	输入电容		1027		pF
  Coss	输出电容		65
  Crss	反向传输电容		46
  td(on)	开启延迟时间		3		ns
  tr	开启上升时间		34
  td(off)	关断延迟时间		23
  tf	开启下降时间		6

  
  

  
  

  N沟道MOS管 5N06的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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