N沟道MOS管 3400 低压MOS管 3400 国产场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-09 16:21:17点击：6次

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  N沟道MOS管 3400 低压MOS管 3400 国产场效应管

  
  

  
  

  N沟道MOS管 3400的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 3400的特点：

  • V_DS=30V

  • I_D=6.2A

  • R_DS(ON)＜25mΩ@V_GS=10V

  • 封装：SOT-23-3L
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 3400的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 3400的极限参数：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	30	V
  VGS	栅极-源极电压	±12
  ID	漏极电流-连续 TA=25℃	6.2	A
  	漏极电流-连续 TA=70℃	4.9
  IDM	漏极电流-脉冲	20
  PD	总耗散功率 TA=25℃	1	W
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	125	℃/W

  
  

  
  

  N沟道MOS管 3400的电特性：

  (如无特殊说明，T_J=25℃)
  

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	30			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A		21	25	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A		23	31
  	静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=1A		30	49
  VGS(th)	栅极开启电压	0.5		1.2	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导		25		S
  Qg	栅极总电荷		11.5		nC
  Qgs	栅源电荷密度		1.6
  Qgd	栅漏电荷密度		2.9
  Ciss	输入电容		530		pF
  Coss	输出电容		130
  Crss	反向传输电容		36
  td(on)	开启延迟时间		5		ns
  tr	开启上升时间		47
  td(off)	关断延迟时间		26
  tf	开启下降时间		8

  
  

  
  

  N沟道MOS管 3400的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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