100V场效应管 3N10 SOT-23 贴片MOS管 国产场效应管替代

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-05 10:47:47点击：6次

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  100V场效应管 3N10 SOT-23 贴片MOS管 国产场效应管替代

  
  

  
  

  100V场效应管 3N10的管脚排列图：

  

  
  

  
  

  100V场效应管 3N10的特点：

  • V_DS=100V

  • I_D=2.8A

  • R_DS(ON)＜320mΩ@V_GS=10V

  • 封装：SOT-23
    

  
  

  
  

  100V场效应管 3N10的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  100V场效应管 3N10的极限参数：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	100	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 TA=25℃	2.8	A
  	漏极电流-连续 TA=70℃	1
  IDM	漏极电流-脉冲	5
  PD	总耗散功率 TA=25℃	1	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	722	mJ
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	125	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	80

  
  

  
  

  100V场效应管 3N10的电特性：

  （如无特殊说明，T_J=25℃）

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	100			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1A		260	310	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=0.5A		270	320
  VGS(th)	栅极开启电压	1	1.5	2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零栅压漏极电流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃			5
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导		2.4		S
  Qg	栅极总电荷		9.7	13.6	nC
  Qgs	栅源电荷密度		1.6	2.2
  Qgd	栅漏电荷密度		1.7	2.4
  Ciss	输入电容		508	711	pF
  Coss	输出电容		29	41
  Crss	反向传输电容		16.4	23
  td(on)	开启延迟时间		1.6	3.2	ns
  tr	开启上升时间		19	34
  td(off)	关断延迟时间		13.6	27
  tf	开启下降时间		19	38

  
  

  
  

  100V场效应管 3N10的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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