国内MOSFET 高压MOS管 5N50 500V场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-02 11:53:31点击：6次

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  国内MOSFET 高压MOS管 5N50 500V场效应管

  
  

  
  

  高压MOS管 5N50的应用：

  • 开关电源（SMPS）

  • 不间断电源（UPS）

  • 功率因素校正（PFC）
    

  
  

  
  

  高压MOS管 5N50的特点：
  

  • VDS=500V

  • ID=5A

  • RDS(ON)＜1.6Ω@VGS=10V

  • 封装：TO-252、TO-251
    

  
  

  
  

  高压MOS管 5N50的极限参数：

  （如无特殊说明，T_C=25℃）

  符号	参数	数值	单位
  VDSS	漏极-源极电压	500	V
  VGSS	栅极-源极电压	±30
  ID	漏极电流-连续 TC=25℃	5	A
  	漏极电流-连续 TC=100℃	3.4
  IDM	漏极电流-脉冲	20
  EAS	单脉冲雪崩能量	90	mJ
  PD	总耗散功率 TC=25℃	45	W
  TJ,TSTG	结温和存储温度	-55~+150	℃
  RθJA	结到环境的热阻	60	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	2.5

  
  

  
  

  高压MOS管 5N50的电特性：
  

  （如无特殊说明，T_C=25℃）

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  V(BR)DSS	漏极-源极击穿电压	500			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2.5A		1.35	1.6	Ω
  VGS(th)	栅极开启电压	2	3	4	V
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极总电荷		13.5		nC
  Qgs	栅源电荷密度		2
  Qgd	栅漏电荷密度		6
  Ciss	输入电容		462		pF
  Coss	输出电容		54.2
  Crss	反向传输电容		8.8
  td(on)	开启延迟时间		10		ns
  tr	开启上升时间		25
  td(off)	关断延迟时间		40
  tf	开启下降时间		52

  
  

  
  

  高压MOS管 5N50的封装外形尺寸图：

  1、TO-251：

  

  
  

  
  

  2、TO-252：

  

  
  

  
  

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