30VP沟道MOS管 60P03 PDFN3X3-8L 极小封装MOS管 低压MOS

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-13 14:22:09点击：6次

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  30VP沟道MOS管 60P03 PDFN3X3-8L 极小封装MOS管 低压MOS

  
  

  
  

  30VP沟道MOS管 60P03的引脚排列图：

  

  
  

  
  

  30VP沟道MOS管 60P03的特点：
  

  • V_DS=-30V

  • I_D=-60A

  • R_DS(ON)＜8mΩ@V_GS=-10V

  • 封装：PDFN3X3-8L

  
  

  
  

  30VP沟道MOS管 60P03的应用：

  • 锂电池保护

  • 手机快充
    

  
  

  
  

  30VP沟道MOS管 60P03的极限参数：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	-30	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 (TC=25℃)	-60	A
  	漏极电流-连续 (TC=100℃)	-32
  IDM	漏极电流-脉冲	-200
  EAS	单脉冲雪崩能量	125	mJ
  IAS	雪崩电流	-50	A
  PD	总耗散功率 (TC=25℃)	38	W
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	65	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	3.3

  
  

  
  

  30VP沟道MOS管 60P03的电特性：

  (如无特殊说明，T_J=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	-30	-32		V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A		6.8	8	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A		9.3	13
  VGS(th)	栅极开启电压	-1.2	-1.6	-2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=25℃			-1	μA
  	零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃			-5
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极总电荷		30		nC
  Qgs	栅源电荷密度		10
  Qgd	栅漏电荷密度		10.4
  Ciss	输入电容		3448		pF
  Coss	输出电容		508
  Crss	反向传输电容		421
  td(on)	开启延迟时间		9.4		ns
  tr	开启上升时间		10.2
  td(off)	关断延迟时间		117
  tf	开启下降时间		24

  
  

  
  

  30VP沟道MOS管 60P03的封装外形尺寸图：

  

  
  

  
  

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