100V/5A场效应管 12N10 低导通电阻MOS管 MOS管12N10

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-11 15:15:32点击：6次

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  100V/5A场效应管 12N10 低导通电阻MOS管 MOS管12N10

  
  

  
  

  低导通电阻MOS管 12N10的管脚图：

  

  

  
  

  
  

  低导通电阻MOS管 12N10的特点：

  • V_DS=100V

  • I_D=5A

  • R_DS(ON)＜140mΩ@V_GS=4.5V

  • 封装：TO-251、TO-252
    

  
  

  
  

  低导通电阻MOS管 12N10的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源

  • LED 照明

  
  

  
  

  低导通电阻MOS管 12N10的极限值：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	100	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 TC=25℃	12	A
  IDM	漏极电流-脉冲	24
  PD	总耗散功率 TC=25℃	17	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	1.2	mJ
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	62	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	7.4

  
  

  
  

  低导通电阻MOS管 12N10的电特性：

  (如无特殊说明，T_J=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	100			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A		110	140	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A		160	180
  VGS(th)	栅极开启电压	1.2	1.5	2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流			1	uA
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极总电荷		4.3		nC
  Qgs	栅源电荷密度		1.5
  Qgd	栅漏电荷密度		1.1
  Ciss	输入电容		206.1		pF
  Coss	输出电容		28.9
  Crss	反向传输电容		1.4
  td(on)	开启延迟时间		14.7		ns
  tr	开启上升时间		3.5
  td(off)	关断延迟时间		20.9
  tf	开启下降时间		2.7

  
  

  
  

  低导通电阻MOS管 12N10的封装外形尺寸图：

  1、TO-252：
  

  

  
  

  2、TO-251：

  

  
  

  
  

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