低压场效应管 50P10 TO-252 贴片MOS管 国产替代MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-11 14:28:07点击：6次

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  低压场效应管 50P10 TO-252 贴片MOS管 国产替代MOSFET

  
  

  
  

  低压场效应管 50P10的特点：

  • V_DS=-100V

  • I_D=-50A

  • R_DS(ON)＜52mΩ@V_GS=-10V

  • 封装：TO-252
    

  
  

  
  

  低压场效应管 50P10的应用：

  • 无刷马达

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源
    

  
  

  
  

  低压场效应管 50P10的符号图：

  

  
  

  
  

  低压场效应管 50P10的极限参数：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	-100	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 TC=25℃	-50	A
  	漏极电流-连续 TC=100℃	-28
  IDM	漏极电流-脉冲	-150
  PD	总耗散功率 TC=25℃	140	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	87	mJ
  IAS	雪崩电流	-35	A
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	62.5	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	1.1

  
  

  
  

  低压场效应管 50P10的电特性：

  (除非有特殊要求，T_J=25℃)
  

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	-100			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A		40	52	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-10A		44	62
  VGS(th)	栅极开启电压	-1	-1.6	-2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流			-1	uA
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极总电荷		40		nC
  Qgs	栅源电荷密度		7.8
  Qgd	栅漏电荷密度		8.6
  Ciss	输入电容		2120		pF
  Coss	输出电容		194
  Crss	反向传输电容		13
  td(on)	开启延迟时间		13		ns
  tr	开启上升时间		39
  td(off)	关断延迟时间		100.1
  tf	开启下降时间		105.3

  
  

  
  

  低压场效应管 50P10的封装外形尺寸图：

  

  
  

  
  

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