低压MOS管 85N03 PDFN5X6-8L 85A/30V场效应管 国产MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-15 14:04:34点击：6次

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  低压MOS管 85N03 PDFN5X6-8L 85A/30V场效应管 国产MOSFET

  
  

  
  

  85A/30V场效应管 85N03的引脚配置图：

  

  
  

  
  

  85A/30V场效应管 85N03的特点：

  • V_DS=30V

  • I_D=85A

  • R_DS(ON)＜4mΩ@V_GS=10V

  • 封装：PDFN5X6-8L

  
  

  
  

  85A/30V场效应管 85N03的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  85A/30V场效应管 85N03的极限参数：

  (如无特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	30	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 TC=25℃	85	A
  	漏极电流-连续 TC=100℃	68
  IDM	漏极电流-脉冲	216
  PD	总耗散功率 TC=25℃	45	W
  	总耗散功率 TA=25℃	5
  EAS	单脉冲雪崩能量	650	mJ
  IAS	雪崩电流	53.8	A
  TSTG	存储温度	-55~175	℃
  TJ	工作结温	-55~175
  RθJA	结到环境的热阻	62	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	2.8

  
  

  
  

  85A/30V场效应管 85N03的电特性：
  

  (如无特殊要求，T_j=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	30	33		V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A		2.3	4	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A		4.3	6
  VGS(th)	栅极开启电压	1.2	1.6	2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=24V，VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零栅压漏极电流 VDS=24V，VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导	20.08	26.5		S
  Qg	栅极电荷		70		nC
  Qgs	栅源电荷密度		12
  Qgd	栅漏电荷密度		17
  Ciss	输入电容		3500		pF
  Coss	输出电容		386
  Crss	反向传输电容		358
  td(on)	开启延迟时间		11		ns
  tr	开启上升时间		120
  td(off)	关断延迟时间		25
  tf	开启下降时间		60

  
  

  
  

  85A/30V场效应管 85N03的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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