MOS管80N08 低内阻MOS管 80N08 80V/80A场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-01-14 10:55:18点击：6次

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  MOS管80N08 低内阻MOS管 80N08 80V/80A场效应管

  
  

  
  

  低内阻MOS管 80N08的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  低内阻MOS管 80N08的管脚排列图：

  

  
  

  
  

  低内阻MOS管 80N08的极限参数：

  （如无特殊说明，T_C=25℃）
  

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	80	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续	80	A
  IDM	漏极电流-脉冲	170
  EAS	单脉冲雪崩能量	57.8	mJ
  IAS	雪崩电流	34	A
  PD	总耗散功率	56	W
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	热阻，结到环境	62	℃/W
  RθJC	热阻，结到管壳	2.2

  
  

  
  

  低内阻MOS管 80N08的电特性：

  （如无特殊说明，T_j=25℃）

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	80			V
  RDS(ON)	静态漏源导通能够电阻 (VGS=10V,ID=20A)		4.8	6.5	mΩ
  	静态漏源导通能够电阻 (VGS=4.5V,ID=20A)		6.3	8.5
  VGS(th)	栅极开启电压	1		2.5	V
  gfs	正向跨导		75		S
  Qg	栅极总电荷		40		nC
  Qgs	栅源电荷密度		7.2
  Qgd	栅漏电荷密度		6.5
  td(on)	关断延迟时间		8.3		ns
  tr	开启上升时间		4.2
  td(off)	关断延迟时间		36
  tf	开启下降时间		6.9
  Ciss	输入电容		2860		pF
  Coss	输出电容		410
  Crss	反向传输电容		38

  
  

  
  

  低内阻MOS管 80N08的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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