20V场效应管 GM2717 P沟道MOS管 MOSFET选型

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-01-11 15:31:52点击：6次

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  20V场效应管 GM2717 P沟道MOS管 MOSFET选型

  
  

  
  

  20V场效应管 GM2717的管脚排列图：

  

  
  

  
  

  20V场效应管 GM2717的极限参数：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-20	V
  栅极-源极电压	VGS	±8
  漏极电流-连续	ID	-7	A
  漏极电流-脉冲	IDM	-18
  总耗散功率 (TA=25℃)	PD	1400	mW
  结温	TJ	150	℃
  存储温度	Tstg	-55~+150

  
  

  
  

  20V场效应管 GM2717的电特性：

  (如无特殊说明，T_A=25℃)

  参数	符号	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	-20			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-0.4		-1.4
  内附二极管正向压降	VSD			-1.5
  零栅压漏极电流	IDSS			-1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=-7A,VGS=-4.5V	RDS(ON)		16	18	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=-3A,VGS=-2.5V			20	22
  输入电容	Ciss		2000		pF
  输出电容	Coss		800
  开启时间	t(on)		20		ns
  关断时间	t(off)		300

  
  

  
  

  20V场效应管 GM2717的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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