MOS管50N10 国产低压MOS管 50N10 100V场效应管选型

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-01-09 14:17:23点击：6次

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  MOS管50N10 国产低压MOS管 50N10 100V场效应管选型

  
  

  
  

  国产低压MOS管 50N10的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  国产低压MOS管 50N10的管脚排列图：
  

    

  
  

  
  

  国产低压MOS管 50N10的特点：

  • V_DS=100V

  • I_D=50A

  • R_DS(ON)＜22mΩ @ V_GS=10V

  • 封装形式：TO-252、TO-220
    

  
  

  
  

  国产低压MOS管 50N10的极限参数：

  （如无特殊说明，T_C=25℃）

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	100	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续	50	A
  IDM	漏极电流-脉冲	70
  PD	功耗	85	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	256	mJ
  TJ,Tstg	工作结温和存储温度	-55~175	℃

  
  

  
  

  国产低压MOS管 50N10的电特性：

  （如无特殊说明，T_C=25℃）

  符号	参数	MIN 值	TYP 值	MAX 值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	100			V
  IDSS	零栅压漏极电流			1	μA
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  VGS(th)	栅极开启电压	1		3	V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 (VGS=10V,ID=20A)		24	28	mΩ
  	静态漏源导通电阻 (VGS=4.5V,ID=10A)		28	30
  gfs	正向跨导		15		S
  Ciss	输入电容		2000		pF
  Coss	输出电容		300
  Crss	反向传输电容		250
  Qg	栅极总电荷		39		nC
  Qgs	栅源电荷密度		8
  Qgd	栅漏电荷密度		12

  
  

  
  

  国产低压MOS管 50N10的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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