双向可控硅型号 BT131 SOT89-3L 1A可控硅 BT131

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-24 15:54:37点击：6次

• 
  

  双向可控硅型号 BT131 SOT89-3L 1A可控硅 BT131

  
  

  
  

  双向可控硅型号 BT131的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT89-3L

  
  

  
  

  双向可控硅型号 BT131的引脚图：

  

  
  

  
  

  双向可控硅型号 BT131的应用领域：

          BT131双向可控硅应用于：加热控制器、彩灯控制器、电饭煲、燃气点火器、电风扇调速器等...

  
  

  
  

  双向可控硅型号 BT131的极限参数(T_CASE=25℃)：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	1	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	16
  I2t	I2t 值	1.28	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率 I-II-III	50	A/μs
  	通态电流临界上升率 IV	10
  IGM	门极峰值电流	2	A
  PGM	门极峰值功率	5	W
  PG(AV)	门极平均功率	0.5
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作温度	-40~+125

  
  

  
  

  双向可控硅型号 BT131的电特性：

  符号	参数	数值		单位
  		D	E
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤3	≤5	mA
  	门极触发电流 IV	≤5	≤10
  VGT	门极触发电压	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流 I-II-III-IV	≤5		mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤6	≤10
  	擎住电流 II	≤10	≤15
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥20	≥50	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V

  
  

  
  

  双向可控硅型号 BT131的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com