可控硅100-8 单向可控硅 MCR100-8 SOT-89-3L 可控硅的应用

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-24 10:21:25点击：6次

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  可控硅100-8 单向可控硅 MCR100-8 SOT-89-3L 可控硅的应用

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的应用领域：

  • 脉冲点火器

  • 负离子发生器

  • 逻辑电路驱动

  • 彩灯控制器

  • 漏电保护器

  • 吸尘器软启动
    

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的引脚图：

  

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT-89-3L

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的极限参数(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ------------------------------------------  600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) --------------------------------------------------  0.8A

  • 通态平均电流 I_T(AV) ------------------------------------------------------  0.5A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM -----------------------------------------------  8A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt -----------------------------------------------  50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM ---------------------------------------------------------  0.2A

  • 门极峰值功率 P_GM --------------------------------------------------------  0.5W

  • 门极平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------------  0.1W

  • 存储温度 T_STG -------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_J ----------------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的电性能：

  符号	参数	数值	单位
  IGT	门极触发电流	10~200	μA
  VGT	门极触发电压	0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流	3	mA
  IL	擎住电流	4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10	V/μs
  VTM	通态压降	1.5	V

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的型号、标识说明：

  

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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