MOS管8205 N沟道场效应管 8205 贴片MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-23 11:58:08点击：6次

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  MOS管8205 N沟道场效应管 8205 贴片MOSFET

  
  

  
  

  N沟道场效应管 8205的引脚图：

   

  
  

  
  

  N沟道场效应管 8205的描述：

          8205是共漏极N沟道增强型场效应管。具有快速开关，超低导通电阻和高性价比的特点。该器件适用于电池保护或低压开关的电路。

  
  

  
  

  N沟道场效应管 8205的应用领域：

  • 锂电池充电保护

  • 电源管理

  • 便携式设备

  • 负载开关
    

  
  

  
  

  N沟道场效应管 8205的特点：

  • R_DS(ON)≤28mΩ@V_GS=4.5V

  • 超低门电荷(电荷 23nC)

  • 低反向传输电容(CRSS=典型150pF)

  • 快速切换功能

  • 提高 dv/dt 能力，高耐用性

  • 低导通电阻

  • 低驱动电流

  • 低栅极电压 2.5V

  • V_DS=20V

  • I_D=6A@V_GS=4.5V
    

  
  

  
  

  N沟道场效应管 8205的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏源电压	VDSS	20	V
  栅源电压	VGSS	±12
  漏极电流-连续(注2)	ID	6	A
  漏极电流-脉冲(注2)	IDM	20
  功耗（TSSOP8）(Ta=25℃)（注3）	PD	1	W
  功耗（SOT23-6）(Ta=25℃)（注3）		1.14
  热阻，结到环境(TSSOP8)(注2)	θJA	125	℃/W
  热阻，结到环境(SOT23-6)(注2)		110
  结温	TJ	+150	℃
  存储温度	TSTG	-55~+150

  注：

  1、极限参数是指那些超过该值可能永久损坏设备的值。极限参数仅为压力额定值，并不暗示功能性器件操作。

  2、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。

  3、脉冲宽度受TJ最大值限制。

  
  

  
  

  N沟道场效应管 8205的典型参数：

  T_J=25℃，除非另有规定

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏源击穿电压	BVDSS	20			V
  漏源漏电流	IDSS			1	uA
  栅源漏电流	IGSS			±100	nA
  栅极门限电压	VGS(TH)	0.5		1.5	V
  漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A	RDS(ON)			28	mΩ
  漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=5.2A				42
  输入电容	CISS		1035		pF
  输出电容	COSS		320
  反向传输电容	CRSS		150
  开启延迟时间	tD(ON)		30		ns
  开启上升时间	tR		70
  关闭延迟时间	tD(OFF)		40
  关闭上升时间	tF		65
  栅极总电荷	QG		23		nC
  栅源电荷	QGS		4.5
  栅漏电荷	QGD		7

  
  

  
  

  N沟道场效应管 8205的典型特性曲线：

  

  
  

  
  

  
  

  
  

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