贴片MOS管 20N15 TO-252 中低压场效应管 20N15

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-26 11:08:17点击：6次

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  贴片MOS管 20N15 TO-252 中低压场效应管 20N15

  
  

  
  

  贴片MOS管 20N15的引脚图：

     

  
  

  
  

  贴片MOS管 20N15的应用领域：
  

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  贴片MOS管 20N15的极限值(如无特殊说明，T_C=25℃)：

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	150	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 TC=25℃	20	A
  	漏极电流-连续 TC=100℃	14
  	漏极电流-连续 TA=25℃	3
  	漏极电流-连续 TA=70℃	2.5
  IDM	漏极电流-脉冲	40
  EAS	单脉冲雪崩能量	53	mJ
  IAS	雪崩电流	18	A
  PD	功耗 TC=25℃	72.6	W
  	功耗 TA=25℃	2.1
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150

  
  

  
  

  贴片MOS管 20N15的电特性：

  符号	参数	最小值	典型值	最大值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	150			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A		95	105	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A		105	115
  VGS(th)	栅极开启电压	1.2		2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=120V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零栅压漏极电流 VDS=120V,VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导		33		S
  Qg	栅极总电荷		25.1		nC
  Qgs	栅源电荷密度		6.8
  Qgd	栅漏电荷密度		12.6
  Td(on)	开启延迟时间		13		ns
  Tr	开启上升时间		8.2
  Td(off)	关断延迟时间		25
  Tf	开启下降时间		11
  Ciss	输入电容		2285		pF
  Coss	输出电容		110
  Crss	反向传输电容		83

  
  

  
  

  贴片MOS管 20N15的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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