100V场效应管 EMDA0P10G SOP-8 贴片P沟道MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-11 10:33:14点击：6次

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  100V场效应管 EMDA0P10G SOP-8 贴片P沟道MOS管

  
  

  
  

  100V场效应管 EMDA0P10G的引脚图：

  

  
  

  
  

  100V场效应管 EMDA0P10G的引脚图：

  (如无特殊要求，T_A=25℃)
  

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-100	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TA=25℃	ID	-3.4	A
  漏极电流-连续 TA=70℃		-2.7
  漏极电流-脉冲	IDM	-13.6
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=70℃		1.6
  工作结温和存储温度范围	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  100V场效应管 EMDA0P10G的电特性：

  (如无特殊要求，T_J=25℃)

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  栅极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-2	-3	-4
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=-80V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-70V,VGS=0V,TJ=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-3.4A	RDS(ON)		105	120	mΩ
  正向跨导	gfs		8		S
  输入电容	Ciss		3520		pF
  输出电容	Coss		132
  反向传输电容	Crss		115
  总栅极电荷	Qg		59		nC
  栅源电荷密度	Qgs		14
  栅漏电荷密度	Qgd		11
  开启延迟时间	td(on)		15		ns
  开启上升时间	tr		45
  关断延迟时间	td(off)		50
  开启下降时间	tf		50

  
  

  
  

  100V场效应管 EMDA0P10G的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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