30V超低内阻MOS管 EMB03N03V EDFN3X3 低压MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-10 10:01:29点击：6次

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  30V超低内阻MOS管 EMB03N03V EDFN3X3 低压MOSFET

  
  

  
  

  30V超低内阻MOS管 EMB03N03V的引脚图：

  

  
  

  
  

  30V超低内阻MOS管 EMB03N03V的极限值：

  (如无特殊要求，T_A=25℃)
  

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	37	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		25
  漏极电流-脉冲	IDM	148
  雪崩电流	IAS	37
  雪崩能量	EAS	68.4	mJ
  重复雪崩能量	EAR	34.2
  功耗 TC=25℃	PD	21	W
  功耗 TC=100℃		8.3
  功耗 TA=25℃		2.5
  功耗 TA=100℃		1
  工作结温和存储温度范围	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  30V超低内阻MOS管 EMB03N03V的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.5	3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=20V,VGS=0V,TJ=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=18A	RDS(ON)		2.5	3	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=14A			3	4
  正向跨导	gfs		25		S
  输入电容	Ciss		2979		pF
  输出电容	Coss		381
  反向传输电容	Crss		224
  栅源电荷密度	Qgs		8.3		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		46.5
  开启延迟时间	td(on)		15		nS
  开启上升时间	tr		10
  关断延迟时间	td(off)		50
  开启下降时间	tf		10

  
  

  
  

  30V超低内阻MOS管 EMB03N03V的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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