650V高压MOS管 GMN6521 SOT-23 贴片场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-12 10:29:04点击：6次

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  650V高压MOS管 GMN6521 SOT-23 贴片场效应管

  
  

  
  

  650V高压MOS管 GMN6521的引脚图：

  

  
  

  
  

  650V高压MOS管 GMN6521的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	650	V
  栅极-源极电压	VGS	±30
  漏极电流-连续	ID	210	mA
  漏极电流-脉冲	IDM	2	A
  总耗散功率(TA=25℃)	PD	900	mW
  结温	TJ	150	℃
  存储温度	Tstg	-55~+150

  
  

  
  

  650V高压MOS管 GMN6521的电特性：

  (如无特说说明，T_A=25℃)

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压 ID=250uA,VGS=0V	BVDSS	650			V
  栅极开启电压 ID=250uA,VGS=VDS	VGS(th)	2.5		3.8
  内附二极管正向压降 IS=2A,VGS=0V	VSD			1.2
  零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=500V	IDSS			1	uA
  栅极漏电流 VGS=±30V,VDS=0V	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=0.5A,VGS=10V	RDS(ON)		16	19	Ω
  输入电容 VGS=0V,VDS=400V,f=1MHz	CISS		120		pF
  输出电容 VGS=0V,VDS=400V,f=1MHz	COSS		20
  开启时间 VDS=300V,ID=0.2A,RGEN=6Ω	t(on)		6		ns
  关断时间 VDS=300V,ID=0.2A,RGEN=6Ω	t(off)		8

  
  

  
  

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