P沟道MOS管 EMF44P03J SOT-23 小封装场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-09 10:23:30点击：6次

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  P沟道MOS管 EMF44P03J SOT-23 小封装场效应管

  
  

  
  

  P沟道MOS管 EMF44P03J的引脚图：

  

  
  

  
  

  P沟道MOS管 EMF44P03J的极限值(除非特殊说明，T_A=25℃)：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：-30V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±12V

  • 漏极电流-连续 (T_A=25℃) I_D：-4A

  • 漏极电流-连续 (T_A=70℃) I_D：-3A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：-16A

  • 功耗 (T_A=25℃) P_D：1.25W

  • 功耗 (T_A=70℃) P_D：0.8W

  • 结温和存储温度 T_j,T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  P沟道MOS管 EMF44P03J的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压 VGS=0V,ID=-250μA	V(BR)DSS	-30			V
  栅极开启电压 VDS=VGS,ID=-250μA	VGS(th)	-0.3	-0.75	-1.2
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±12V	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-4.5A	RDS(ON)		32	38	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A			39	44
  静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-3A			60	75
  正向跨导 VDS=-5V,ID=-4A	gfs		13		S
  输入电容 VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz	Ciss		1170		pF
  输出电容 VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz	Coss		185
  反向传输电容 VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz	Crss		137
  栅源电荷密度 VDS=-15V,VGS=-4.5V,ID=-4A	Qgs		3.2		nC
  栅漏电荷密度 VDS=-15V,VGS=-4.5V,ID=-4A	Qgd		4.1
  开启延迟时间 VDS=-15V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RG=6Ω	td(on)		10		nS
  开启上升时间 VDS=-15V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RG=6Ω	tr		10
  关断延迟时间 VDS=-15V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RG=6Ω	td(off)		45
  开启下降时间 VDS=-15V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RG=6Ω	tf		15

  
  

  
  

  P沟道MOS管 EMF44P03J的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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