EMB14P03G SOP-8 P沟道场效应管 贴片MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-09 14:59:07点击：6次

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  EMB14P03G SOP-8 P沟道场效应管 贴片MOS管

  
  

  
  

  贴片MOS管 EMB14P03G的引脚图：

  

  
  

  
  

  贴片MOS管 EMB14P03G的极限值(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：-30V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±25V

  • 漏极电流-连续(T_A=25℃) I_D：-12A

  • 漏极电流-连续(T_A=100℃) I_D：-9A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：-48A

  • 雪崩电流 I_AS：-20A

  • 雪崩能量 E_AS：20mJ

  • 功耗(T_A=25℃) P_D：2.5W

  • 功耗(T_A=100℃) P_D：1W

  • 结温和存储温度 T_j,T_stg：-55~+150℃
    

  
  

  
  

  贴片MOS管 EMB14P03G的电特性(除非有特殊要求，T_C=25℃)：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±20V	IGSS			±100	nA
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±25V				±500
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-12A	RDS(ON)		12	14	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-9A			17	21
  正向跨导	gfs		28		S
  输入电容	Ciss		2270		pF
  输出电容	Coss		342
  反向传输电容	Crss		300
  栅源电荷密度	Qgs		4.9		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		7.5
  开启延迟时间	td(on)		20		nS
  开启上升时间	tr		12
  关断延迟时间	td(off)		55
  开启下降时间	tf		15

  
  

  
  

  贴片MOS管 EMB14P03G的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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