EMD04N08E TO-220 N沟道MOS管 杰力场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-08 16:58:19点击：6次

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  EMD04N08E TO-220 N沟道MOS管 杰力场效应管

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMD04N08E的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMD04N08E的极限值(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：80V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±30V

  • 漏极电流-连续 (T_C=25℃) I_D：160A

  • 漏极电流-连续 (T_C=100℃) I_D：126A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：540A

  • 雪崩电流 I_AS：90A

  • 雪崩能量 E_AS：405mJ

  • 重复雪崩能量 E_AR：202mJ

  • 功耗 (T_C=25℃) P_D：250W

  • 功耗 (T_C=100℃) P_D：100W

  • 结温和存储温度 T_j,T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMD04N08E的电特性(除非有特殊要求，T_J=25℃)：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	80			V
  栅极开启电压	VGS(th)	2	3	4
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±30V	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=64V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=60V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=50A	RDS(ON)		4.1	4.6	mΩ
  正向跨导	gfs		60		S
  输入电容	Ciss		5548		pF
  输出电容	Coss		557
  反向传输电容	Crss		29
  栅源电荷密度	Qgs		38		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		8.5
  开启延迟时间	td(on)		80		nS
  开启上升时间	tr		150
  关断延迟时间	td(off)		100
  开启下降时间	tf		170

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMD04N08E的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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