Z0409引脚图 双向可控硅Z0409 中文资料

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-05 15:10:50点击：6次

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  Z0409引脚图 双向可控硅Z0409 中文资料

  
  

  
  

  双向可控硅 Z0409的引脚图：

  

  
  

  
  

  双向可控硅 Z0409的应用领域：

          Z0409可控硅应用于：加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器等...

  
  

  
  

  双向可控硅 Z0409的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高；换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-202B
    

  
  

  
  

  双向可控硅 Z0409的特点(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ------------------------------------  600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) ---------------------------------------------  4A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ------------------------------------------  20A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt -----------------------------------------  20A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM ---------------------------------------------------  1.2A

  • 门极平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------  0.2W

  • 存储温度 T_STG -------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j -----------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  双向可控硅 Z0409的电特性：
  

  符号	参数	数值	单位
  IGT	门极触发电流	≤10	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3	V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤10	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤15
  	擎住电流 II	≤25
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥100	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55	V

  
  

  
  

  双向可控硅 Z0409的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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