国产MOS管4606 场效应管 4606 N+P沟道MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-04 16:53:08点击：6次

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  国产MOS管4606 场效应管 4606 N+P沟道MOSFET

  
  

  
  

  国产MOS管 4606的描述与应用：

          4606是30V N+P沟道互补增强模式场效应管，封装形式为SOP-8，用于高功率DC/DC转换和功率开关，适用于作负载开关或脉宽调制应用。

  
  

  
  

  国产MOS管 4606的内部等效电路图：

  

  
  

  
  

  国产MOS管 4606的引脚排列：

  

  
  

  
  

  国产MOS管 4606的极限值：

  参数	符号	数值		单位
  		N沟道	P沟道
  漏极-源极电压	VDSS	±30		V
  栅极-源极电压	VGSS	±20
  漏极电流-连续 TA=25℃	ID	6.9	-6	A
  漏极电流-连续 TA=70℃		5.8	-5
  漏极电流-脉冲	IDM	±30
  总耗散功率 TA=25℃	PD	2		W
  总耗散功率 TA=70℃		1.44
  结温和存储温度	TJ,TSTG	-55~+150		℃

  
  

  
  

  国产MOS管 4606的电特性(N沟道)：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	30			V
  零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃				5
  栅极漏电流	IGSS			100	nA
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.9	3	V
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=6.9A	RDS(ON)		22.5	28	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=6.9A,TJ=125℃			31.3	38
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A			34.5	42
  正向跨导	gfs	10	15.4		S
  输入电容	Ciss		680		pF
  输出电容	Coss		102
  反向传输电容	Crss		77
  栅源电荷密度	Qgs		1.82		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		3.2
  开启延迟时间	td(on)		4.6		ns
  开启上升时间	tr		4.1
  关断延迟时间	td(off)		20.6
  开启下降时间	tf		5.2

  
  

  
  

  国产MOS管 4606的电特性(P沟道)：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	-30			V
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃				-5
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  栅极开启电压	VGS(th)	-1.2	-2	-2.4	V
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-6A	RDS(ON)		28	35	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-6A,TJ=125℃			37	45
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-5A			44	58
  正向跨导	gfs		13		S
  输入电容	Ciss		920		pF
  输出电容	Coss		190
  反向传输电容	Crss		122
  栅源电荷密度	Qgs		2.7		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		4.5
  开启延迟时间	td(on)		7.7		ns
  开启上升时间	tr		5.7
  关断延迟时间	td(off)		20.2
  开启下降时间	tf		9.5

  
  

  
  

  国产MOS管 4606的回流焊温度曲线图(无铅)：

  

  
  

  说明：

  1、预热温度 25~150℃，时间60~90sec

  2、峰值温度 245±5℃，时间5±0.5sec

  3、焊接制程冷却速度为 2~10℃/sec

  
  

  
  

  国产MOS管 4606的耐焊接热试验条件：

  • 温度：260±5℃

  • 时间：10±1 sec
    

  
  

  
  

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