MOS管2309 GM2309 P沟道MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-25 16:39:44点击：6次

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  MOS管2309 GM2309 P沟道MOSFET

  
  

  
  

  P沟道MOSFET GM2309的引脚图：

  

  
  

  
  

  P沟道MOSFET GM2309的极限值：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS -------------------------------------  -60V

  • 栅极-源极电压 V_GS ----------------------------------------  ±20V

  • 漏极电流-连续 I_D ------------------------------------------  -1.6A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM ----------------------------------------  -6A

  • 总耗散功率(T_A=25℃) P_D ----------------------------------  1000mW

  • 结温 T_J -------------------------------------------------------  150℃

  • 存储温度 T_stg ------------------------------------------------  -55~+150℃
    

  
  

  
  

  P沟道MOSFET GM2309的电特性：

  如无特殊说明，T_A=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	-60			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1		-3
  内附二极管正向压降	VSD			-1.2
  零栅压漏极电流	IDSS			-10	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=-1.8A,VGS=-10V	RDS(ON)		200	250	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=-1.4A,VGS=-4.5V			240	300
  输入电容	CISS		364		pF
  输出电容	COSS		41
  开启时间	t(on)		20		ns
  关断时间	t(off)		5.2

  
  

  
  

  P沟道MOSFET GM2309的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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