MCR100-8参数及管脚 100-8单向可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-25 14:38:04点击：6次

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  MCR100-8参数及管脚 100-8单向可控硅

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的引脚图：

  

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的应用领域：
          MCR100-8可控硅应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动...

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT-23-3L、SOT-89-3L、SOT-223-3L、TO-92
    

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ------------------------------------- 600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) ---------------------------------------------- 0.8A

  • 通态平均电流 I_T(AV) -------------------------------------------------- 0.5A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ------------------------------------------- 8A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt ------------------------------------------ 50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM ---------------------------------------------------- 0.2A

  • 门极峰值功率 P_GM --------------------------------------------------- 0.5W

  • 门极平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------- 0.1W

  • 存储温度 T_STG --------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j ------------------------------------------------------------  -40~+110℃

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的电特性：
  

  • 门极触发电流 I_GT ------------------------------------------------- 10~200μA

  • 门极触发电压 V_GT ------------------------------------------------ 0.8V

  • 门极不触发电压 V_GD --------------------------------------------- 0.2V

  • 维持电流 I_H -------------------------------------------------------- 3mA

  • 擎住电流 I_L -------------------------------------------------------- 4mA

  • 断态电压临界上升率 dV_D/dt -------------------------------------- 10V/μs

  • 通态压降 V_TM ------------------------------------------------------ 1.5V

  
  

  
  

  单向可控硅 MCR100-8的型号标识说明：

  

  
  

  
  

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