BT139可控硅引脚图 BT139 高压可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-25 10:10:33点击：6次

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  BT139可控硅引脚图 BT139 高压可控硅

  
  

  
  

  高压可控硅 BT139的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-220B、TO-220C、TO-263
    

  
  

  
  

  高压可控硅 BT139的引脚图：

        

  
  

  
  

  高压可控硅 BT139的应用领域：

          BT139可控硅应用于：加热控制器、调光/调速控制器、洗衣机、搅拌机、果汁机、电动工具、吸尘器等家用电器。

  
  

  
  

  高压可控硅 BT139的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ------------------------------------- 600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) --------------------------------------------- 16A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ------------------------------------------- 140A

  • 门极峰值电流 I_GM ---------------------------------------------------- 2A

  • 门极峰值功率 P_GM --------------------------------------------------- 5W

  • 门极平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------- 0.5W

  • 存储温度 T_STG --------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j -----------------------------------------------------------  -40~+125℃

  
  

  
  

  高压可控硅 BT139的电特性：

  1、三象限参数：

  符号	参数	数值		单位
  		SW	CW
  IGT	门极触发电流	≤10	≤25	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤15	≤30	mA
  IL	擎住电流 I-III	≤20	≤30
  	擎住电流 II	≤25	≤40
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥40	≥80	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V

  
  

  
  

  2、四象限参数：

  符号	参数	数值			单位
  		D	E	F
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤5	≤10	≤25	mA
  	门极触发电流 IV	≤10	≤25	≤70
  VGT	门极触发电压	≤1.3			V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤10	≤25	≤30	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤15	≤30	≤40
  	擎住电流 II	≤20	≤40	≤70
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥10	≥20	≥50	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55			V

  
  

  
  

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