GMW2N20 贴片MOS管2N20 200V/2A场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-26 15:33:08点击：6次

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  GMW2N20 贴片MOS管2N20 200V/2A场效应管

  
  

  
  

  贴片MOS管 GMW2N20的特点：

  • 快速开关

  • 优化电压变率能力

  • 封装形式：TO-252
    

  
  

  
  

  贴片MOS管 GMW2N20的应用领域：

  • 开关电源

  • DC-DC 变换和不间断电源

  • 脉宽调制电极控制

  • 功率因数校正
    

  
  

  
  

  贴片MOS管 GMW2N20的内部结构：

  

  
  

  
  

  贴片MOS管 GMW2N20的极限值：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS ---------------------------------------------  200V

  • 栅极-源极电压 V_GS ------------------------------------------------  ±30V

  • 漏极电流-连续(T_C=25℃) I_D ---------------------------------------  2A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM -------------------------------------------------  8A

  • 总耗散功率 P_TOT ---------------------------------------------------  10W

  • 热阻 R_θJC ------------------------------------------------------------  13℃/W

  • 结温/存储温度 T_J/T_stg -----------------------------------------------  -55~150℃
    

  
  

  
  

  贴片MOS管 GMW2N20的电特性：

  如无特殊说明，T_A=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压 ID=250uA,VGS=0V	BVDSS	200			V
  栅极开启电压 ID=250uA,VGS=VDS	VGS(th)	1	2	3
  零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=200V	IDSS			1	uA
  栅极漏电流 VGS=±30V，VDS=0V	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=1A,VGS=10V	RDS(ON)		1.65	1.9	Ω
  漏极-源极电流	ISD			2	A
  内附二极管正向压降 ISD=2A,VGS=0V	VSD			1.4	V
  输入电容 VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz	CISS		500		pF
  共源输出电容 VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz	COSS		100
  反向传输电容 VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz	CRSS		20
  栅极电荷密度 VDS=160V,ID=1A,VGS=10V	Qg		13.5		nC
  栅源电荷密度 VDS=160V,ID=1A,VGS=10V	Qgs		2
  栅漏电荷密度 VDS=160V,ID=1A,VGS=10V	Qgd		6
  开启延迟时间 VDS=100V,ID=1A,RGEN=25Ω,VGS=10V	td(on)		9		ns
  开启上升时间 VDS=100V,ID=1A,RGEN=25Ω,VGS=10V	tr		22
  关断延迟时间 VDS=100V,ID=1A,RGEN=25Ω,VGS=10V	td(off)		39
  开启下降时间 VDS=100V,ID=1A,RGEN=25Ω,VGS=10V	tf		20

  
  

  
  

  贴片MOS管 GMW2N20的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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