双N沟道场效应管 GM8810 TSSOP-8 国产MOS管8810

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-06-28 10:00:33点击：6次

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  双N沟道场效应管 GM8810 TSSOP-8 国产MOS管8810

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 GM8810的内部结构：

  

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 GM8810的特点：

  • 低导通电阻和最大直流电流能力

  • 超高元胞密度设计

  • R_DS(ON)≤20mΩ@VGS=4.5V

  • R_DS(ON)≤23mΩ@VGS=2.5V

  • 封装形式：TSSOP-8
    

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 GM8810的应用：

          GM8810场效应管应用于笔记本电源管理、便携式设备、电池电源系统、DC/DC变换、负载开关应用。

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 GM8810的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	20	V
  栅极-源极电压	VGS	±8
  漏极电流-连续	ID	7	A
  漏极电流-脉冲	IDM	25
  总耗散功率 TC=25℃	PTOT	1.5	W
  总耗散功率 TC=70℃		1
  热阻	RθJA	83	℃/W
  结温/存储温度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 GM8810的电特性：

  如无特殊说明，温度为25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏源击穿电压	BVDSS	20			V
  漏源漏电流	IDSS			1	uA
  栅源漏电流	IGSS			±10	uA
  栅极门限电压	VGS(TH)	0.4		1.1	V
  漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A	RDS(ON)		16	20	mΩ
  漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=6.5A			18	23
  内附二极管正向压降	VSD			1	V
  输入电容	CISS		1295		pF
  输出电容	COSS		160
  反向传输电容	CRSS		87
  开启延迟时间	tD(ON)		280		ns
  开启上升时间	tR		328
  关闭延迟时间	tD(OFF)		3760
  关闭上升时间	tF		2240
  栅源电荷	QGS		4.2		nC
  栅漏电荷	QGD		2.6

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 GM8810的外形封装尺寸：

  

  
  

  
  

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