16A可控硅参数 T1635 TO-220A 插件可控硅
插件可控硅 T1635的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃训话工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-220A
插件可控硅 T1635的引脚图:
插件可控硅 T1635的应用:
加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器
插件可控硅 T1635的极限值:
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM:600/800V
通态均方根电流 IT(RMS):16A
通态不重复浪涌电流 ITSM:160A
通态电流临界上升率 dIT/dt:50A/μs
门极峰值电流 IGM:4A
门极平均功率 PG(AV):1W
存储温度 TSTG:-40~+150℃
工作结温 Tj:-40~+125℃
插件可控硅 T1635的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | ≤35 | mA |
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V |
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |
IH | 维持电流 | ≤35 | mA |
IL | 擎住电流 I-III | ≤50 | |
擎住电流 II | ≤60 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥500 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤1 | mA |
插件可控硅 T1635的参数特性曲线:
插件可控硅 T1635的封装外形尺寸:
声明:本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;邮箱:limeijun@yushin88.com