双向可控硅 BT134可控硅的型号替换

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-21 14:58:50点击：6次

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  双向可控硅 BT134可控硅的型号替换

  
  

  
  

  双向可控硅 BT134的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装外形：SOT-223-3L、TO-126、TO-126P

  • 型号替代：BT136、Z0405、Z0409、T405Q等
    

  
  

  
  

  双向可控硅 BT134的引脚图：

         

  
  

  
  

  双向可控硅 BT134的应用：

          加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器

  
  

  
  

  双向可控硅 BT134的极限值：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	4	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	25
  I2t	I2t 值	3.1	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率 I-II-III	50	A/μs
  	通态电流临界上升率 IV	10
  IGM	门极峰值电流	2	A
  PGM	门极峰值功率	5	W
  PG(AV)	门极平均功率	0.5
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+125

  
  

  
  

  双向可控硅 BT134的电特性：

  符号	参数	数值		单位
  		D	E
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤5	≤10	mA
  	门极触发电流 IV	≤10	≤25
  VGT	门极触发电压	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤10	≤15	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤10	≤15
  	擎住电流 II	≤15	≤20
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥10	≥20	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5		μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤0.5

  
  

  
  

  双向可控硅 BT134的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

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