贴片双向可控硅 T1235 TO-263 可控硅中文资料
贴片双向可控硅 T1235的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-263
贴片双向可控硅 T1235的引脚图:
贴片双向可控硅 T1235的应用:
加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器
贴片双向可控硅 T1235的极限值:
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM:600/800V
通态均方根电流 IT(TMS):12A
通态不重复浪涌电流 ITSM:120A
通态电流临界上升率 dIT/dt:50A/μs
门极峰值电流 IGM:4A
门极平均功率 PG(AV):1W
存储温度 TSTG:-40~+150℃
工作结温 Tj:-40~+125℃
贴片双向可控硅 T1235的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | ≤35 | mA |
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V |
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |
IH | 维持电流 | ≤35 | mA |
IL | 擎住电流 I-III | ≤50 | |
擎住电流 II | ≤60 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥500 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤1 | mA |
贴片双向可控硅 T1235的参数特性曲线:
贴片双向可控硅 T1235的封装外形尺寸:
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