国产可控硅 Z0107 1A四象限双向可控硅
一、Z0107的脚位图:
二、Z0107的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式:SOT-223-3L、TO-92
三、Z0107的应用:
加热控制器、彩灯控制器、电饭煲、燃气点火器、电风扇调速器等
四、Z0107的极限参数(TCASE=25℃):
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 1 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 8 | |
I2t | I2t 值 | 0.32 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 20 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 1 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 2 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 0.1 | |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+125 |
五、Z0107的电性能:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 I-II-III | 5 | mA |
门极触发电流 IV | 7 | ||
VGT | 门极触发电压 | 1.2 | V |
VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |
IH | 维持电流 | 10 | mA |
IL | 擎住电流 I-III-IV | 10 | |
擎住电流 II | 20 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 20 | V/μs |
VTM | 通态压降 | 1.55 | V |
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | 5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | 100 |
六、Z0107的封装外形尺寸:
1、SOT-223-3L:
2、TO-92:
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