电源用低压NMOS管 30N03 SOT89-3 低内阻MOSFET MOS管型号大全
电源用低压NMOS管 30N03的主要参数：
VDS=30V
ID=30A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V(Type：8.5mΩ)
电源用低压NMOS管 30N03的主要应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
电源用低压NMOS管 30N03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID (TC=25℃)：30A
漏极电流-脉冲 IDM：90A
总耗散功率 PD (TC=25℃)：37.5W
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：4℃/W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作结温 TJ：-55~175℃
电源用低压NMOS管 30N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 8.5 | 12 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A | 14 | 18 | |||
| VGS | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 940 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 131 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 109 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 31 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4 |
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