-60VP+P沟道MOSFET管6V06 SOP-8 贴片低压MOS 常用双PMOS管6V06
-60VP+P沟道MOSFET管6V06的应用领域：
无刷马达
负载开关
不间断电源
-60VP+P沟道MOSFET管6V06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -6 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -4.3 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -26 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 29.8 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -24.4 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 31.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 40 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
-60VP+P沟道MOSFET管6V06的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | -66 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-3A | 65 | 85 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-2A | 80 | 100 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.75 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 12.1 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1137 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 76 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 50 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 20.1 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 46.7 | |||
| tf | 开启下降时间 | 9.4 |
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