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贴片40V双NMOS管15H04 SOP-8
贴片40V双NMOS管15H04 SOP-8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:15H04
产品封装:SOP-8
产品标题:贴片40V双NMOS管15H04 SOP-8 电池保护用MOS管 中低压常用MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片40V双NMOS管15H04 SOP-8 电池保护用MOS管 中低压常用MOSFET



贴片40V双NMOS管15H04的主要参数:

  • VDS=40V

  • ID=15A

  • RDS(ON)<10mΩ@VGS=10V(Type:8.5mΩ)



贴片40V双NMOS管15H04的应用领域:

  • 电池保护

  • 不间断电源 UPS



贴片40V双NMOS管15H04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 TC=25℃15A
漏极电流-连续 TC=100℃10
IDM漏极电流-脉冲45
EAS单脉冲雪崩能量181mJ
IAS雪崩电流16A
PD总耗散功率 TC=25℃33.7W
RθJA结到环境的热阻85℃/W
RθJC结到管壳的热阻2.1
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



贴片40V双NMOS管15H04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压40

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


8.510
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


1018
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
37
nC
Qgs栅源电荷密度

6


Qgd栅漏电荷密度
7
Ciss输入电容
2400
pF
Coss输出电容
192
Crss反向传输电容
165
td(on)开启延迟时间
12
ns
tr开启上升时间

12


td(off)关断延迟时间
38

tf
开启下降时间
9


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