低内阻场效应管30N06 TO-263贴片低内阻NMOS管 电源MOS管选型
贴片低内阻NMOS管30N06的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 30 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 16 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 74 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 22 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 13 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 31.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 4 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 |
常用NMOS管30N06的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A | 28 | 36 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A | 38 | 45 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1027 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 65 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 46 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 2.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 16.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 21.2 | |||
| tf | 开启下降时间 | 5.6 |
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