超低内阻NMOS150N04 TO-251低压大电流MOS 场效应管替换
超低内阻NMOS150N04的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
超低内阻NMOS150N04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 150 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 90 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 450 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 400 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 40 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 125 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 50 |
超低内阻NMOS150N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 47 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 3.3 | 5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 45 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 18.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3972 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 1119 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 82 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 18.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 9 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 58.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 32 |
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