无刷电机用低压MOS管75N04 PDFN5X6-8L低内阻MOSFET国产替换场效应管
无刷电机用低压MOS管75N04的应用领域:
无线充电
手机快充
无刷电机用低压MOS管75N04的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 40 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续(TA=25℃) | 75 | A |
漏极电流-连续(TA=70℃) | 44 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 250 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 36 | mJ |
IAS | 雪崩电流 | 27 | A |
PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 42 | W |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 | |
RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.0 |
无刷电机用低压MOS管75N04的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 47 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 4.5 | 5.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 5.8 | 7.6 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 9.7 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 3.2 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 4 | |||
Ciss | 输入电容 | 1204 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 536 | |||
Crss | 反向传输电容 | 51 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 4.8 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 8.6 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 23 | |||
tf | 开启下降时间 | 15.2 |