低内阻N沟道MOS管FIR80N08PG TO-220场效应管替换 MOSFET参数
低内阻N沟道MOS管FIR80N08PG的应用领域：
电源开关应用
高频电路
UPS 不不间断电源
低内阻N沟道MOS管FIR80N08PG的极限值：
（如无特殊说明，TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 80 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
漏极电流-连续 | ID | 80 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 60 | ||
| 漏记电流-脉冲 | IDM | 320 | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 600 | mJ |
| 功耗 | PD | 160 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 |
低内阻N沟道MOS管FIR80N08PG的电特性：
（如无特殊说明，TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 80 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 8.4 | 10 | mΩ | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 3400 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 290 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 30 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω,RG=2.5Ω,VGS=10V | 18 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 12 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 56 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 15 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDS=30V,ID=30A,VGS=10V | 100 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 20 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 30 |
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