单向可控硅损坏原因判别主要哪种参数坏了？

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-05-06 14:22:55点击：6次

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  损坏原因判别主要哪种参数坏了？当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。

  

  1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，损坏的面积小，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

  
  

  2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，损坏的面积大，其位置在远离控制极上。

  
  

  3、 电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。

  
  

  4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

  
  

  5、G-K 电压击穿。晶闸管 G-K 间因不能承受反向电压（12V）而损坏，其芯片 G-K 间有烧焦的通路（短路痕迹）。

  
  

  
  

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