MOS管20N02 低压场效应管 20N02 增强型N沟道MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-19 11:36:29点击：6次

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  MOS管20N02 低压场效应管 20N02 增强型N沟道MOS管

  
  

  
  

  增强型N沟道MOS管 20N02的管脚图：

  

  
  

  
  

  增强型N沟道MOS管 20N02的特点：

  • V_DS=20V

  • I_D=20A

  • R_DS(ON)＜8mΩ@V_GS=10V

  • 封装：PDFN3X3-8L
    

  
  

  
  

  增强型N沟道MOS管 20N02的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  增强型N沟道MOS管 20N02的极限值：

  (如无特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDSS	漏极-源极电压	20	V
  VGSS	栅极-源极电压	±12
  ID	漏极电流-连续 TC=25℃	20	A
  	漏极电流-连续 TC=100℃	15
  IDM	漏极电流-脉冲	60
  PD	总耗散功率 TC=25℃	31	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	36	mJ
  TSTG	存储温度	-55~+175	℃
  TJ	工作结温	-55~+175
  RθJC	结到管壳的热阻	4.84	℃/W

  
  

  
  

  增强型N沟道MOS管 20N02的电特性：

  (如无特殊要求，T_J=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  V(BR)DSS	漏极-源极击穿电压	20	22		V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=25A		6.1	8	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=10A		8.8	13
  VGS(th)	栅极开启电压	0.4	0.7	1.1	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=20V，VGS=0V			1	uA
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极电荷		19		nC
  Qgs	栅源电荷密度		3
  Qgd	栅漏电荷密度		6.4
  Ciss	输入电容		1458		pF
  Coss	输出电容		238
  Crss	反向传输电容		212
  td(on)	开启延迟时间		10		ns
  tr	开启上升时间		21
  td(off)	关断延迟时间		39
  tf	开启下降时间		19

  
  

  
  

  增强型N沟道MOS管 20N02的封装外形尺寸图：

  

  
  

  
  

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