MOS管7N65 650V高压MOS管 7N65 场效应管引脚排列

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-17 18:17:54点击：6次

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  MOS管7N65 650V高压MOS管 7N65 场效应管引脚排列

  
  

  
  

  650V高压MOS管 7N65的符号图：

  

  
  

  
  

  650V高压MOS管 7N65的应用：

  • 不间断电源(UPS)

  • 功率因数补偿(PFC)
    

  
  

  
  

  650V高压MOS管 7N65的特点：
  

  • V_DS=650V

  • I_D=7A

  • R_DS(ON)＜2.4Ω@V_GS=10V

  • 封装：TO-220、TO-220F

  
  

  
  

  650V高压MOS管 7N65的极限参数：

  (如无特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDSS	漏极-源极电压	650	V
  VGSS	栅极-源极电压	±30
  ID	漏极电流-连续	7	A
  IDM	漏极电流-脉冲	28
  PD	总耗散功率 TC=25℃	63	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	198	mJ
  EAR	重复雪崩能量	40
  IAR	雪崩电流	3.5	A
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	62.5	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	1.29

  
  

  
  

  650V高压MOS管 7N65的电特性：

  (如无特殊要求，T_A=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  V(BR)DSS	漏极-源极击穿电压	650			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2A		1.1	1.35	Ω
  VGS(th)	栅极开启电压	3		4	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃			1	uA
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极电荷		22		nC
  Qgs	栅源电荷密度		4.3
  Qgd	栅漏电荷密度		13
  Ciss	输入电容		891		pF
  Coss	输出电容		110
  Crss	反向传输电容		14
  td(on)	开启延迟时间		15		ns
  tr	开启上升时间		18
  td(off)	关断延迟时间		80
  tf	开启下降时间		35

  
  

  
  

  650V高压MOS管 7N65的参数特性曲线图：

  (如无特殊要求，T_J=25℃)

  

  
  

  

  
  

  
  

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