7N65 贴片高压MOS管 MOS管7N65 650VN沟道场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-02-24 11:02:20点击：6次

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  7N65 贴片高压MOS管 MOS管7N65 650VN沟道场效应管

  
  

  
  

  贴片高压MOS管 7N65的引脚图：

   

  
  

  
  

  贴片高压MOS管 7N65的应用：
  

  • 不间断电源（UPS）

  • 功率因素校正（PFC）
    

  
  

  
  

  贴片高压MOS管 7N65的产品特点：

  • 快速交换

  • 低内阻

  • 低电荷

  • 低反向传输电容

  
  

  
  

  贴片高压MOS管 7N65的极限参数：

  （除非有特殊要求，Ta=25℃）

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	VDS	650	V
  栅极-源极电压	VGS	±30
  漏极电流-连续 (TC=25℃)	ID	7	A
  漏极电流-连续 (TC=100℃)		4.4
  漏极电流-脉冲	IDM	28
  功耗	PD	35	W
  雪崩能量	EAS	350	mJ
  工作结温	TJ	-55~+150	℃
  存储温度	TSTG	-55~+150

  
  

  
  

  贴片高压MOS管 7N65的电特性：
  

  （除非有特殊要求，Ta=25℃）

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	650			V
  零栅压漏极电流 (25℃,VDS=650V,VGS=0V)	IDSS			1	uA
  零栅压漏极电流 (125℃,VDS=520V,VGS=0V)				100
  零栅压漏极电流 (150℃,VDS=520V,VGS=0V)				100
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  栅极开启电压	VGS(th)	2		4	V
  静态漏源导通电阻 (VGS=10V,ID=2A)	RDS(ON)		1.2	1.4	Ω
  输入电容	Ciss		1130		PF
  输出电容	Coss		93
  反向传输电容	Crss		5.5
  开启延迟时间	td(on)		19		nS
  开启上升时间	tr		21
  关断延迟时间	td(off)		42
  开启下降时间	tf		19
  总栅极电荷	Qg		24		nC
  栅源电荷密度	Qgs		5.1
  栅漏电荷密度	Qgd		9.5

  
  

  
  

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