8726 低压MOS管型号 MOS管8726 国产场效应管替代

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-01-29 17:05:54点击：6次

• 
  

  8726 低压MOS管型号 MOS管8726 国产场效应管替代

  
  

  
  

  低压MOS管型号 8726的特点：

  • 低导通电阻和大直流电流能力

  • 超高元胞密度设计

  • 封装形式：TO-252
    

  
  

  
  

  低压MOS管型号 8726的应用：

  • 笔记本电源管理

  • 便携式设备

  • 电池电源系统

  • DC/DC 变换

  • 负载开关应用
    

  
  

  
  

  低压MOS管型号 8726的引脚图：

  

  
  

  
  

  低压MOS管型号 8726的额定值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续	ID	86	A
  漏极电流-脉冲	IDM	140
  总耗散功率	PTOT	75	W
  热阻，结到环境	RθJA	2.4	℃/W
  结温/存储温度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  低压MOS管型号 8726的电特性：

  （如无特殊说明，T_A=25℃）

  参数	符号	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1.35	1.6	2.35
  零栅压漏极电流	IDSS			1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 (ID=40A,VGS=10V)	RDS(ON)		4.6	5.8	mΩ
  静态漏源导通电阻 (ID=30A,VGS=7V)			5.1	6.8
  漏极-源极电流	ISD			20	A
  内附二极管正向压降	VSD			1.2	V
  输入电压	CISS		1335		pF
  共源输出电容	COSS		210
  回馈电容	CRSS		140
  栅源电荷密度	Qgs		5		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		10
  开启延迟时间	td(on)		11		ns
  开启上升时间	tr		30
  关断延迟时间	td(off)		24
  开启下降时间	tf		6

  
  

  
  

  低压MOS管型号 8726的参数特性曲线图：

  

  
  

  
  

  低压MOS管型号 8726的封装外形尺寸图：

  

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com