国产替代MOS管 60V场效应管 20N06 贴片MOS管20N06

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-12-31 15:44:34点击：6次

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  国产替代MOS管 60V场效应管 20N06 贴片MOS管20N06

  
  

  
  

  60V场效应管 20N06的符号图：

  

  
  

  
  

  60V场效应管 20N06的应用：

         60V场效应管 20N06应用于：电池保护、负载开关、不间断电源等。

  
  

  
  

  60V场效应管 20N06的极限参数：

  （如无特殊说明，T_J=25℃）

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	60	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 TC=25℃	28	A
  	漏极电流-连续 TC=100℃	13
  IDM	漏极电流-脉冲	74
  EAS	单脉冲雪崩能量	22	mJ
  IAS	雪崩电流	13	A
  PD	总耗散功率 TC=25℃	31.3	W
  TSTG	存储温度	-55~175	℃
  TJ	工作结温	-55~175
  RθJA	结到环境的热阻	62	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	4

  
  

  
  

  60V场效应管 20N06的电特性：

  （如无特殊说明，T_J=25℃）

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	60	65		V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A		28	36	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A		39	45
  VGS(th)	栅极开启电压	1.2	1.6	2.5	V
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导		25.3		S
  Qg	栅极总电荷		19		nC
  Qgs	栅源电荷密度		2.5
  Qgd	栅漏电荷密度		5
  Ciss	输入电容		1027		pF
  Coss	输出电容		65
  Crss	反向传输电容		46
  td(on)	开启延迟时间		2.8		ns
  tr	开启上升时间		16.6
  td(off)	关断延迟时间		21.2
  tf	开启下降时间		5.6

  
  

  
  

  60V场效应管 20N06的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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