低内阻MOS管 EMB03P03H EDFN5X6 贴片场效应管 MOS管03P03

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-12-22 14:23:33点击：6次

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  低内阻MOS管 EMB03P03H EDFN5X6 贴片场效应管 MOS管03P03

  
  

  
  

  低内阻MOS管 EMB03P03H的引脚图：

  

  
  

  
  

  低内阻MOS管 EMB03P03H的极限参数：

  （如无特殊说明,T_A=25℃）

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续（TC=25℃）	ID	-85A	A
  漏极电流-连续（TC=100℃）		-65
  漏极电流-脉冲	IDM	-260
  雪崩电流	IAS	-80
  雪崩能量	EAS	320	mJ
  重复雪崩能量	EAR	160
  功耗（TC=25℃）	PD	69	W
  功耗（TC=100℃）		27
  工作结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  低内阻MOS管 EMB03P03H的电特性：

  （如无特殊说明,TJ=25℃）

  参数	符号	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 （VDS=-24V,VGS=0V）	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 （VDS=-20V,VGS=0V，TJ=125℃）				-10
  静态漏源导通电阻 （VGS=-10V,ID=-30A）	RDS(ON)		2.7	3.1	mΩ
  静态漏源导通电阻 （VGS=-4.5V,ID=-30A）			4	5
  正向跨导	gfs		70		S
  输入电容	Ciss		6400		pF
  输出电容	Coss		913
  反向传输电容	Ciss		656
  栅极总电荷	Qg		96.5		nC
  栅源电荷密度	Qgs		24.8
  栅漏电荷密度	Qgd		13.8

  
  

  
  

  低内阻MOS管 EMB03P03H的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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