国产可控硅 4A可控硅 T405Q TO-251 四象限双向可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-12-22 09:32:53点击：6次

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  国产可控硅 4A可控硅 T405Q TO-251 四象限双向可控硅

  
  

  
  

  4A可控硅 T405Q的引脚图：

     

  
  

  
  

  4A可控硅 T405Q的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-251、TO-252
    

  
  

  
  

  4A可控硅 T405Q的应用：

  • 加热控制器

  • 马达调速控制器

  • 麻将机

  • 搅拌机

  • 直发器

  • 面包机等家用电器

  
  

  
  

  4A可控硅 T405Q的极限值（T_CASE=25℃）：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	4	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	35
  I2t	I2t 值	6	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率	50	A/μs
  IGM	门极峰值电流	4	A
  PG(AV)	门极平均功率	0.5	W
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+125

  
  

  
  

  4A可控硅 T405Q的电特性：

  符号	参数	数值	单位
  IGT	门极触发电流	≤5（I-II-III 象限） ≤10（IV 象限）	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3	V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤10	mA
  IL	擎住电流	≤10（I-III-IV 象限） ≤15（II 象限）
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥10	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55	V

  
  

  
  

  4A可控硅 T405Q的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

  4A可控硅 T405Q的封装外形尺寸：

  ⑴、TO-251封装：

  

  
  

  
  

  ⑵、TO-252封装：

  

  
  

  
  

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