低压MOS管 EMB50P03J SOT-23 MOS管50P03参数

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-12-18 10:12:26点击：6次

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  低压MOS管 EMB50P03J SOT-23 MOS管50P03参数

  
  

  
  

  低压MOS管 EMB50P03J的引脚图：

  

  
  

  
  

  低压MOS管 EMB50P03J的极限参数：

  (除非有特殊标注，T_A=25℃)

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TA=25℃	ID	-4.5	A
  漏极电流-连续 TA=70℃		-3.5
  漏极电流-脉冲	IDM	-18
  功耗 TA=25℃	PD	1.25	W
  功耗 TA=70℃		0.83
  工作结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  低压MOS管 EMB50P03J的电特性：

  (除非有特殊标注，T_A=25℃)

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  栅极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  静态漏源导通能够电阻 VGS=-10V,ID=-4.5A	RDS(ON)		42	50	mΩ
  静态漏源导通能够电阻 VGS=-4.5V,ID=-3.5A			66	85
  正向跨导	gfs		16		S
  输入电容	Ciss		820		pF
  输出电容	Coss		122
  反向传输电容	Crss		97
  栅极总电荷	Qg		9		nC
  栅源电荷密度	Qgs		2.2
  栅漏电荷密度	Qgd		2.5
  开启延迟时间	td(on)		12		nS
  开启上升时间	tr		16
  关断延迟时间	td(off)		34
  开启下降时间	tf		20

  
  

  
  

  低压MOS管 EMB50P03J的封装外形尺寸：

  

  
  

  

  

  
  

  
  

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