MOS管2316 场效应管型号 GM2316 N沟道MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-12-07 09:08:09点击：6次

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  MOS管2316 场效应管型号 GM2316 N沟道MOS管

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM2316的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM2316的极限值：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：20V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±8V

  • 漏极电流-连续 I_D：6.5A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：30A

  • 总耗散功率 P_D：1400mW

  • 结温 T_j：150℃

  • 存储温度 T_stg：-55~+150℃
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM2316的电特性：
  

  （如无特殊说明，T_A=25℃）

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	20			V
  栅极开启电压	VGS(th)	0.4		1
  内附二极管正向压降	VSD			1
  零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=16V	IDSS			1	uA
  零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=16V,TA=55℃				5
  栅极漏电流 VGS=±4.5V,VDS=0V	IGSS			±1	uA
  栅极漏电流 VGS=±8V,VDS=0V				±10
  静态漏源导通电阻 ID=6.5A,VGS=4.5V	RDS(ON)			22	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=5.5A,VGS=2.5V				26
  静态漏源导通电阻 ID=5A,VGS=1.8V				34
  输入电容	CISS		1160		pF
  输出电容	COSS		180
  开启时间	t(on)		8		ns
  关断时间	t(off)		60

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM2316的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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